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碳化硅HMDS烘箱,SiC襯底HMDS烤箱 工業(yè)烘箱

碳化硅HMDS烘箱,SiC襯底HMDS烤箱 工業(yè)烘箱

簡要描述:

碳化硅HMDS烘箱,SiC襯底HMDS烤箱將HMDS氣相沉積至半導體制造中氮化鎵(GaN)和、碳化硅(SiC)、硅片、砷化鎵等材料表面后,經(jīng)系統(tǒng)加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?,其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合,起著偶聯(lián)劑的作用

碳化硅HMDS烘箱的背景

   碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表,也是目前晶體生產(chǎn)技術和器件制造水平成熟,應用廣泛的寬禁帶半導體材料之一,目前已經(jīng)形成了全球的材料、器件和應用產(chǎn)業(yè)鏈。

   碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結(jié)合力非常強,在熱、化學、機械方面都非常穩(wěn)定。SiC存在各種多型體(多晶型體),它們的物理特性值各有不同。

碳化硅HMDS烘箱,SiC襯底HMDS烤箱的作用

  HMDS烘箱將HMDS氣相沉積至半導體制造中氮化鎵(GaN)和、碳化硅(SiC)、硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、晶圓等材料表面后,經(jīng)系統(tǒng)加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?,其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合,起著偶聯(lián)劑的作用。

碳化硅HMDS烘箱,SiC襯底HMDS烤箱主要性能:

空間(mm):300*300*300

       450*450*450

       600*600*600,可定制

適用產(chǎn)品:兼容1-12寸晶圓及碎片

溫度范圍:RT+10-250℃

溫度穩(wěn)定度:≤±0.5℃

真空度:≤133pa(1torr)

材質(zhì):316L不銹鋼+冷軋板噴塑

HMDS系統(tǒng):密閉設計,自動開啟,數(shù)據(jù)可設定

液位計:低液位報警

儲液瓶:HMDS儲液量1000ml 

真空泵:無油渦旋真空泵

運行時間:20Min

計量單位:S/Pa

運行方式:自動運行

進氣:N2

排氣:有機排放

電源:220V、50-60HZ

功率:2800W



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上海雋思實驗儀器有限公司主要經(jīng)營優(yōu)質(zhì)的碳化硅HMDS烘箱,SiC襯底HMDS烤箱 工業(yè)烘箱等,歡迎來電咨詢碳化硅HMDS烘箱,SiC襯底HMDS烤箱 工業(yè)烘箱詳細資料等信息
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